АСЕЕВ
Александр
Леонидович

Дата и место рождения – 24 сентября 1946 года в Улан-Удэ.

Трудовая деятельность:

В 2000 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации РАН (специальность «элементная база микроэлектроники»),

В 2006 г. избран действительным членом РАН по Отделению физических наук РАН (специальность "физика").

С 2008 года - председатель Сибирского отделения РАН , директор Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.

Вице-президент РАН, член секции нанотехнологий отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН.

Автор и соавтор более 220 научных работ, из них 5 монографий и 9 патентов.

Награды и почетные звания:

Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени;

Высший орден Монголии «Полярная звезда»;

Грамоты и благодарности Государственной Думы РФ, Федерального агентства по атомной энергии;

Знак «Гражданская доблесть» Республики Саха (Якутия), орден «Ключ дружбы», высшей наградой Кемеровской области.

Высшее техническое, доктор физико-математических наук, член-корреспондент, академик РАН:

В 1968 г. окончил Новосибирский государственный университет.

В 1975 г. защитил кандидатскую диссертацию «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоёв кремния и германия на различных подложках»,

В 1990 г. защитил докторскую диссертацию «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов».